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IRFR13N20DTRPBF Infineon  FET
IRFR13N20DTRPBF Infineon  FET
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IRFR13N20DTRPBF Infineon FET

型号/规格:

IRFR13N20DTRPBF

品牌/商标:

Infineon

封装:

TO-252-3

批号:

20+

FET 功能:

-

功率耗散:

(大值) 110W(Tc)

产品信息

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

IRFR13N20DTRPBF

 

一般信息

数据列表       IRF(R,U)13N20DPbF;

标准包装      2,000

包装      标准卷带 

零件状态       最後搶購

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - FETMOSFET - 单个

系列       HEXFET®

其它名称       IRFR13N20DPBFTR

IRFR13N20DTRPBF-ND

IRFR13N20DTRPBFTR-ND

SP001567488

 

规格

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    13ATc

驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On      10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      235 毫欧 @ 8A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    38nC @ 10V

Vgs(大值)     ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  830pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    110WTc

工作温度       -55°C ~ 175°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    D-Pak

封装/外壳      TO-252-3DPak2 引线 + 接片),SC-63

 

公司简介:

深圳昴泽电子是一家授权半导体和电子元器件授权分销商,服务广大电子设计群体。深圳昴泽电子原厂授权分销超过800家品牌,可订购500多万种在线产品,为客户提供一站式采购平台,欢迎垂询!